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DRAM存储器是有史以来价格波动最剧烈的IC产品。下图是DRAM波动性强的又一例证, 自2016年7月16日至2017年7月17日,短短一年时间,DRAM价格已经翻了一番还要多。市场调研机构IC Insights表示,2017年DRAM单位存储价格(price per bit)涨幅将超过40%,为史上最高。
2017-09-14 21:46:33来源: 21IC中国电子网
据外电报道,在东芝存储芯片业务的竞购之争中,原本已被边缘化的苹果再度成为核心主角之一。据消息人士透露,苹果此次计划出资3000亿日元(约合27.3亿美元),携手贝恩资本共同竞购东芝闪存芯片业务。苹果的iPhone和iPod均采用了东芝的闪存芯片,他们希望东芝持续向其供货,从而减弱对智能手机产业主要竞争对手三星电子的配件依赖。闪存芯片一直存在供货短缺的问题,苹果一直寻求与主要供应商建立更紧密的联系,锁定一份长期的供货协议,收购成为了最好的办法。
現行的電腦記憶體,存在著巨大的鴻溝。DRAM 讀寫資料的延遲,僅有數奈秒。而 NAND Flash 的延遲,卻有數微秒,差距達 1,000~10,000 倍左右。為了弭平兩者間的差距,新的技術,NVDIMM 發表!藉由結合 DRAM 以及 NAND Flash 的優點,填補記憶體科技的鴻溝。
電腦裡面主要有兩個重要的元件,分別為電腦處理器還有記憶體。電腦處理器就像是電腦的大腦一樣,電腦運作速度的快慢,由電腦處理器的好壞決定。記憶體則像是電腦的記憶神經,越大的記憶體象徵著電腦可以記下更多的資料;越快的記憶體,則影響著電腦的記憶速度的快慢。
動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)屬於一種揮發性記憶體(volatile memory),主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元(bit)是1還是0。由於在現實中電容會有漏電的現象,導致電位差不足而使記憶消失,因此除非電容經常周期性地充電,否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時刷新的特性,因此被稱為「動態」記憶體。相對來說,「靜態」記憶體(SRAM)只要存入資料後,縱使不刷新也不會遺失記憶。 DRAM的記憶單元與SRAM相比,DRAM的優勢在於結構簡單,每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理,相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。因此,DRAM擁有高密度,低成本的優點,但是它也有存取速度較慢,耗電量較大的缺點。
中央處理器(CPU)的記憶體使用量極高,且占據CPU近三分之二的面積,經常成為效能、良率與測試的技術瓶頸;因此,若能利用矽穿孔(TSV)技術,將CPU與記憶體進行堆疊,將可打造晶片間傳輸速度更快、雜訊更小且效能更佳的新一代三維晶片(3D IC)。